MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC
Informazioni di base:
Marcatura del produttore | SK45MH120TSCp |
Tipo di componente: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Configurazione: | Bridge 1f |
Specifica: | SiC N-Channel MOSFET |
Costruzione: | 4*FET-BD |
Tipo di caso: | Modul |
Caso [inch] : | SEMITOP-3p |
Tipo di materiale: | SiC Full |
RoHS | Sì |
REACH | No |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Imballo e peso:
Unità: | pezzi |
Peso: | 36 [g] |
Pacchetto piccolo (numero di unità): | 15 |
Parametri elettro-fisici:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 33 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
Input Logic Level (Ugs level) | 15V |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 73 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 49 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 13 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 206 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 4310 pF |
Parametri termici e meccanici:
Dimensioni (L*W*H) [mm]: | 55x31x16 |
Tmin (temperatura minima di esercizio) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura massima di esercizio) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 1 [°C/W] |
L - Lunghezza | 55 [mm] |
W - Larghezza | 31 [mm] |
H - Altezza | 16 [mm] |