MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC
Typical Applications
• Switched Mode Power Supplies
• Energy Storage Systems
• Electric Vehicle charging
• UPS
• Solar
• Motor Drives
Informazioni di base:
Marcatura del produttore | SK80MB120CR03TE1 |
Tipo di componente: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Configurazione: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Specifica: | SiC N-Channel MOSFET |
Costruzione: | 2*FET-BD |
Tipo di caso: | Modul |
Caso [inch] : | SEMITOP-E1 |
Tipo di materiale: | SiC Full |
RoHS | Sì |
REACH | No |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Imballo e peso:
Unità: | pezzi |
Peso: | 24 [g] |
Pacchetto piccolo (numero di unità): | 15 |
Parametri elettro-fisici:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 82 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
Input Logic Level (Ugs level) | 15V |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 32 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 10 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 11 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 236 [nC] |
Parametri termici e meccanici:
Tmin (temperatura minima di esercizio) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura massima di esercizio) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 1 [°C/W] |